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    封装服务

    摩尔精英自建近5,000平快速封装工程中心和1.5万平SiP先进封测基地,为客户提供快封打样/SiP&FCBGA设计生产/量产管理服务。在产品研发阶段提供优质高效的快封服务;同时拥有经验丰富的方案开发和SiP&FCBGA设计团队,为客户提供SiP&FCBGA产品从设计、仿真、打样到量产一站式交付;结合国内外主流封装厂的长期战略合作关系,为客户提供全流程的量产管理服务,在封装阶段的交期、产能及质量提供有效保障。

    服务内容

    芯片快封服务

    自建合肥重庆两地快封线,月产能1.5KK,可以满足客户大量的工程批和小量批需求。

    业务现况:有近600家交易客户,累计工程批出货6000+批次。

    芯片量产封装及管理

    量产业务采用美团+服务的模式、不仅仅是代理下单,同时还提供客户封装设计、良率监控、质量监控、交期跟催、物料备货及质量异常处理等。客户进入大量量产阶段,会下单给日月光/安靠/通富/长电/华天等大厂(性价比优于客户自己接洽),同时在不增加成本的前提下还提供以上服务。由于长期与封装大厂合作,产能有较大话语权。如客户有需要,我们还有许多低价工厂可以向客户推荐。

    业务现况:量产客户已经达到60+,累计出货量已超2亿颗。

    SIP&FCBGA封装设计及生产

    摩尔精英提供SiP&FCBGA从方案开发、基板设计、仿真、打样及量产一站式服务。 摩尔精英有丰富的裸Die资源和国内外基板资源,超过25年经验的方案开发工程团队,平均17年工作经验的SiP设计团队,成功交付验证50多个SiP方案。成为中国中车合格供应商、Bosch合作伙伴、滴滴无人驾驶合作伙伴以及国内顶尖高校研究所合作伙伴。

    SiP封装设计及生产a

    摩尔精英提供SiP从方案开发,基板设计,仿真,打样及量产一条龙服务。摩尔精英有丰富的裸die资源,超过25年经验的方案开发工程团队,17年工作经验的SIP设计团队,50多个SiP量产方案,国际排名前三的封装资源。成为中国中车合格供应商、bosch合作伙伴、滴滴无人驾驶合作伙伴以及国内顶尖高校研究所合作伙伴。

    摩尔精英无锡SiP先进封测中心

    摩尔精英无锡SiP先进封测中心具备生产从Wire Bond QFN、Wire Bond BGA、 Flip-Chip产品到Wire Bond+FC以及其他各种SiP产品,主要生产消费类产品 (蓝牙模组、NB模组等),同时准备工业级产品的可靠性验证。2023年具备生产 Wire Bond+FC+SMT+EMI的复杂SiP的能力,可生产工业级产品如5G,AIP等产品。到2024年无锡封测中心开发出AIP/AOP技术,以解决目前业界碰到的还没有解决的问题。无锡SiP先进封测中心围绕提供更高集成度、更高的频率、更低的功耗、更快的速度、更灵活的集成电路外形的产品来开发生产。

    核心优势

    快封业务
  • 平均10年+工作经验的工程师团队
  • 国际大厂匹配的厂房
  • 业界主流设备
  • 工程封装周期短(3-7天),成本低
  • 完备的封装产品类型支持(SOP/QFN/QFP/LQFP/BGA/LGA/SiP等等)
  • SiP封装设计及生产
  • 丰富的SiP&FCBGA设计经验
  • 提供了超过50种SiP芯片设计
  • 每月交付2M SiP芯片
  • 丰富的裸片资源(MEMS,RF,PMIC,MCU)
  • 全面的基板资源(2~6L,8L,10L,12L,14L......)
  • 芯片量产封装
  • 保障生产能力
  • 值得信赖的合作伙伴(ASE, Amkor, TFME, JCET等)
  • 优化实践
  • 每月交付超过1000万个芯片
  • 部分成功案例

    项目一
    MCU SiP案例:为了将两颗相同的芯片封装在一起,摩尔精英设计了一个“三明治”式堆叠SiP解决方案。通过增加一个dummy 芯片,解决了引线过程中可能出现的引线坍塌、芯片隐裂等问题。从SIP设计到工程芯片完成,仅用了8周时间,3个月就生产了200K芯片。

    - 芯片定位偏差小于20um偏差;

    - 打线工艺采用目前最先进的多段式焊接工艺避免焊接不良问题;

    - SiP包产率99.7%以上;

    - 体积小,性能好,安全可靠,客户满意度高。

    项目二

    应用范围 :光电传感器模块;

    内部器件(14) :逻辑门芯片+稳压器+三极管+二极管+电阻电容;

    优点:体积小,成本低,保密性强,安装方便。

    项目三

    应用范围:车辆传感系统;

    内部器件(19):MCU +毫米波芯片+湿度传感器芯片+光学传感器芯片+电阻电容+电池;

    优点:集成度高,包装透明,MEMS包装。

    项目四

    Package type:QFN68L

    Package size:8X8X0.75mm

    Die size:2.2X2.1mm/2.3x2.2mm

    Wire dimeter:0.7mil Au wire

    Bond pad opening:45x48um

    Bond pad pitch:54um

    Technical challenges :采用二层芯片叠封的工艺,由于die1到die2连线的角度非常倾斜,夹角大于45度,线间距小于2倍线径,已经超出封装设计规范,由于BPO(Bond pad opening)限制只能采用0.7mil的金线,在打线过程中容易出现线弧不稳定,造成碰线,该产品采用目前先进的线弧(PSL)多段式超低线弧,通过控制线弧的折点,高度,松紧度来实现线弧的稳定性,封装良率达到99.5%以上,客户测试未发现问题。

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    四川省成都市武侯区高朋大道3号A座900室
    无锡SiP先进封测中心
    江苏省无锡市惠山经济开发区生科路12号
    重庆先进封装创新中心
    重庆市渝北区仙桃数据谷中路105号指环王大厦B栋5楼
    合肥快速封装工程中心
    安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园5幢1层C区
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